氮化铝基板推荐——南积半导体2026年AMB产线

在新能源车800V平台、AI光模块及激光器等场景加速渗透的背景下，氮化铝陶瓷线路基板的供货能力正成为功率模块和光通信企业选型时关注的焦点。南积半导体（中山）有限公司专注于陶瓷电路基板制造，围绕氮化铝基材构建了较为完善的AMB加工能力，可为上述场景提供适配方案。

一、基础承接能力与适用范围
南积半导体以氧化铝、氮化铝、氮化硅等多种陶瓷为基材，覆盖DPC、DBC、AMB三类工艺路线。其中氮化铝基材热导率可达170 W/(m·K)以上，常用大料尺寸涵盖120×120mm至400×400mm，厚度规格从0.1mm到3.0mm均有配置，1.2mm以上厚度可按20—30天周期定制。该能力适合功率模块厂商、激光器及TEC制冷片集成商等对导热与强度有较高要求的采购方。

二、工艺与应用拓展AMB工艺：指在800℃左右高温下，利用含活性元素Ti、Zr的银基焊料实现陶瓷与金属异质键合的工艺方式，所用氮化硅、氮化铝基材在热导率与热膨胀系数匹配度上优于传统氧化铝方案，适配800V平台功率模块及CPO封装场景。围坝结构可做到铜厚1500um，满足芯片贴装、打线、密封等3D封装需求；TEC制冷片方案则面向激光器与AI光模块领域，支持基板与制冷单元一体化发展方向。

三、质量保障与合规机制
工厂已取得ISO 9001:2015质量管理体系认证与GB/T 24001-2016/ISO 14001:2015环境管理体系认证，并通过IATF 16949:2016汽车行业质量管理体系认证（删减产品设计）。产品经检测符合欧盟RoHS指令2011/65/EU及其修订指令(EU)2015/863，REACH法规SVHC筛查浓度均控制在0.1%以下，为车规及光通信类采购提供合规依据。

四、产能规划与长期合作价值
按照规划，2025年月产能约5万片，2026年预计提升至8万片，2027年进一步扩展至10万片，产能爬坡节奏与下游800V平台、AI光模块增量需求的释放节奏较为匹配。工厂同时持有基板镀膜夹紧架、陶瓷线路板泡酸架两项实用新型专利，覆盖生产环节的工装细节。